從構建芯(xin)(xin)片聯盟到《芯(xin)(xin)片法案》落地，再(zai)到限(xian)制英偉達和(he)AMD出口AI芯(xin)(xin)片，近期又傳(chuan)出美國正在醞釀新規則，以進(jin)一步打(da)壓中國半導體產業(ye)(ye)。據悉，美國將在10月擴大對美國企(qi)(qi)業(ye)(ye)向中國企(qi)(qi)業(ye)(ye)出口半導體設備及AI芯(xin)(xin)片的限(xian)制。

今年7月，所有(you)美(mei)國(guo)芯片生(sheng)產(chan)設備制(zhi)造(zao)商(shang)都已(yi)經收到來自美(mei)國(guo)商(shang)務部的信函，要求這些(xie)企業(ye)不要向中國(guo)出口14nm及以(yi)下的半導體設備，除非獲(huo)得(de)該部許(xu)可。

8月26日(ri)，美(mei)國政府同樣(yang)通知了相(xiang)關美(mei)國企業向中(zhong)國和(he)俄羅斯出(chu)口A100和(he)H100芯片將需要(yao)新的(de)許可證要(yao)求。同時，DGX(AI系統(tong)產品(pin)組合)或(huo)任何其他包含A100或(huo)H100芯片的(de)產品(pin)，以及未(wei)來(lai)(lai)性(xing)能高于A100的(de)芯片都將受到(dao)新規管制。這意味著(zhu)，沒有(you)美(mei)國的(de)許可，英(ying)偉達接(jie)下(xia)來(lai)(lai)將暫停為中(zhong)國市場提供A100、H100相(xiang)關產品(pin)。

目前來(lai)看，受(shou)到(dao)新規影響的(de)(de)美國(guo)企(qi)業(ye)主要(yao)是收(shou)(shou)到(dao)相(xiang)(xiang)(xiang)關(guan)信函的(de)(de)企(qi)業(ye)，未收(shou)(shou)到(dao)信函的(de)(de)企(qi)業(ye)則不受(shou)相(xiang)(xiang)(xiang)關(guan)限制(zhi)。但值(zhi)得(de)關(guan)注的(de)(de)是，如果這(zhe)些信函所限制(zhi)的(de)(de)要(yao)求(qiu)，未來(lai)在10月轉化(hua)為出口(kou)限制(zhi)的(de)(de)話，將(jiang)(jiang)進一(yi)步擴大對中(zhong)國(guo)企(qi)業(ye)的(de)(de)限制(zhi)范(fan)圍(wei)。同(tong)時，美商務(wu)部(bu)還(huan)可能要(yao)求(qiu)運往中(zhong)國(guo)的(de)(de)含有(you)相(xiang)(xiang)(xiang)關(guan)目標(biao)芯片的(de)(de)產品(pin)也將(jiang)(jiang)列(lie)入限制(zhi)范(fan)圍(wei)。也就是說(shuo)，含有(you)英偉(wei)達(da)A100、H100芯片的(de)(de)戴爾、惠普等數據中(zhong)心服務(wu)器也將(jiang)(jiang)受(shou)到(dao)管制(zhi)。

可以說，美(mei)國(guo)(guo)對(dui)中國(guo)(guo)半導體(ti)產(chan)(chan)業(ye)的打壓(ya)已經從之前“漫無(wu)目標(biao)”地全面開火(huo)，演進到目前精準狙(ju)擊，定點打壓(ya)，相關打壓(ya)也開始細節(jie)化。那么，美(mei)國(guo)(guo)政府醞釀的新規則對(dui)中國(guo)(guo)半導體(ti)企業(ye)及產(chan)(chan)業(ye)會產(chan)(chan)生(sheng)多大影(ying)響呢?

從半導體(ti)(ti)設(she)(she)備來看(kan)，該規則預計(ji)主(zhu)要限(xian)制14nm及以(yi)下制程工(gong)藝中(zhong)需要用(yong)到(dao)的設(she)(she)備。其中(zhong)，受到(dao)該規則的美國(guo)半導體(ti)(ti)廠(chang)商主(zhu)要有(you)應用(yong)材(cai)料、泛(fan)林(lin)、科磊等公司。這些公司正好是半導體(ti)(ti)設(she)(she)備領(ling)域(yu)的巨頭，在各自細分領(ling)域(yu)中(zhong)占據最大的市場份額(e)。其中(zhong)，應用(yong)材(cai)料相(xiang)關設(she)(she)備涉(she)(she)及沉積、離(li)子注入(ru)、刻(ke)(ke)(ke)蝕(shi)等;泛(fan)林(lin)相(xiang)關設(she)(she)備涉(she)(she)及刻(ke)(ke)(ke)蝕(shi)、光(guang)刻(ke)(ke)(ke)膠(jiao)去(qu)除、晶圓清(qing)洗(xi)、薄膜(mo)沉淀等;科磊相(xiang)關設(she)(she)備涉(she)(she)及各個加工(gong)環節的光(guang)學、電子束(shu)檢測設(she)(she)備。

據悉(xi)，以上相(xiang)關(guan)環節的半導體設備，中(zhong)國(guo)半導體設備廠(chang)商均(jun)進行了相(xiang)關(guan)替代(dai)研(yan)發，也取得(de)了一定進展，甚至很多完(wan)成(cheng)了14nm設備的研(yan)發。比如，中(zhong)微(wei)公司和(he)(he)北(bei)方華(hua)創的刻蝕設備、精測電子的光(guang)學檢測設備、拓荊科技和(he)(he)北(bei)方華(hua)創的薄膜(mo)沉淀設備等。原本這些(xie)企業都(dou)面(mian)臨全(quan)球(qiu)各大(da)國(guo)際(ji)巨頭(tou)的激烈競爭，但現(xian)在美國(guo)政府卻讓國(guo)際(ji)巨頭(tou)“主動”把市場讓出來(lai)，必然會讓其受益(yi)。

然而(er)(er)，從半導體(ti)制(zhi)造的(de)角度來看，中(zhong)芯(xin)國(guo)際(ji)(ji)必然受到(dao)最大的(de)影(ying)響，甚至于可(ke)以(yi)說相(xiang)關(guan)規(gui)則(ze)就(jiu)是針對中(zhong)芯(xin)國(guo)際(ji)(ji)14nm及以(yi)下芯(xin)片(pian)(pian)制(zhi)程(cheng)(cheng)工藝(yi)的(de)。畢(bi)竟華(hua)虹(hong)、士蘭微(wei)、長江(jiang)存儲等公司都(dou)沒有(you)14nm及以(yi)下的(de)制(zhi)程(cheng)(cheng)工藝(yi)。目前我國(guo)離子注入(ru)設(she)備(bei)(bei)的(de)水平還停留在28nm，曝光設(she)備(bei)(bei)的(de)水平停留在65nm，而(er)(er)有(you)14nm制(zhi)程(cheng)(cheng)能力的(de)設(she)備(bei)(bei)企業(ye)，受限于產能，短時間(jian)內也無法(fa)供應這么(me)多(duo)設(she)備(bei)(bei)。可(ke)以(yi)說，美(mei)國(guo)就(jiu)是想通過限制(zhi)相(xiang)關(guan)半導體(ti)設(she)備(bei)(bei)，延緩中(zhong)國(guo)先進芯(xin)片(pian)(pian)工藝(yi)，使(shi)中(zhong)美(mei)半導體(ti)之間(jian)永遠保持(chi)一(yi)兩代甚至更多(duo)代差。

整體來看，在(zai)美國不斷加大制(zhi)裁與限制(zhi)之下，中國半導體設備廠商必(bi)將堅(jian)定(ding)自主自造的(de)決心，進一步(bu)提升國內廠商供應鏈安(an)全意識，推動供應鏈本土化建設。而(er)高端GPU也將如此(ci)。

作者：張河勛

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