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依托半導體高端設備研制，通過半導體高端設備、真空技術兩個板塊，建立電子裝備的產業化經營格局
主要應用于碲鋅鎘、碲化鎘、銻化銦(yin)等(deng)多(duo)種(zhong)化合物半導(dao)體材料的單(dan)晶生長(chang)
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VTM單(dan)晶(jing)爐是依據我公司(si)自主研(yan)發的VTM工藝方法所設計(ji)的新型單(dan)晶(jing)工藝設備, 設備由加(jia)熱系(xi)統、運動系(xi)統支撐機構(gou)、電控系(xi)統四部(bu)分組成，適用碲(di)鋅鎘(ge)、碲(di)化(hua)鎘(ge)、銻化(hua)鎵(jia)等(deng)多種(zhong)化(hua)合物半導材料的單(dan)晶(jing)生長。
VTM單晶爐設備特點
■ 晶(jing)體生長(chang)界面引入磁力控(kong)制,穩定晶(jing)體生長(chang)方向(xiang)，提(ti)高了單晶(jing)成品率;
■ 整機的機械運動及加熱系統采用(yong)PC控制，菜單數(shu)據可輸入,歷史數(shu)據可查(cha)詢，具有(you)聲、光報警，生產重復性高;
■ 加(jia)熱(re)系統(tong)分主(zhu)加(jia)熱(re)裝置(zhi)和(he)輔(fu)助加(jia)熱(re)裝置(zhi)。主(zhu)加(jia)熱(re)控(kong)制整體溫度。輔(fu)助加(jia)熱(re)可(ke)移(yi)動。實現局部加(jia)熱(re)的高精度，加(jia)強了溫場的可(ke)控(kong)性;
■ 運(yun)動系統采用一鍵式控制。既滿足(zu)裝(zhuang)爐時的(de)快速(su)(su)升降，又(you)可以精確控制晶體生長時爐體的(de)緩慢行程速(su)(su)度,大(da)大(da)提高生產效(xiao)率;
■ 支撐機構采用(yong)分體式設計,保障穩定性同時(shi)有效阻隔(ge)了震動(dong)，提高單晶生長的質量及成品率;
■ 采用剛性(xing)傳(chuan)動機構，傳(chuan)動效率高，穩定性(xing)強(qiang)。
技術參數(shu)
| 適用爐體范圍 | 2~6英寸 |
| 爐體結構 | 立式單管狀 |
| 控制方式 | 微控 |
| 爐體極限工作溫度 | 1350℃ |
| 溫度顯示精度 | 0.1℃ |
| 溫度控制精度 | 優于±0.2 |
| 爐體動作模式 | 立式升降/左右旋轉 |
| 爐體升降行程 | L有效=620mm |
