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依托半導體高端設備研制，通過半導體高端設備、真空技術兩個板塊，建立電子裝備的產業化經營格局
主要(yao)應用于碳化硅、氮(dan)化鋁單晶(jing)生(sheng)(sheng)長，6、8英寸SIC晶(jing)體生(sheng)(sheng)長
60秒人工響應
30分(fen)鐘內給予技術咨(zi)詢答復
24小時(shi)免(mian)費提供方案設計
SIC單晶(jing)(jing)爐是針對碳(tan)化(hua)硅單晶(jing)(jing)生長專用工(gong)藝(yi)設備，也(ye)可(ke)用于氮化(hua)鋁(lv)的單晶(jing)(jing)生長工(gong)藝(yi)。
SIC單(dan)晶爐設備特點
■ 設備采用(yong)高(gao)頻電源感應(ying)加熱(re)、水冷(leng)感應(ying)線圈，水冷(leng)箱(xiang)及高(gao)溫(wen)密封，并具(ju)備對(dui)生長(chang)室內的(de)高(gao)真空度進行檢測、溫(wen)度的(de)精確測量、加熱(re)過程的(de)程序化控制，石墨坩堝與感應(ying)加熱(re)線圈之間相(xiang)對(dui)位(wei)置(zhi)的(de)調節以及Ar等(deng)多種氣體的(de)定(ding)(ding)量定(ding)(ding)壓供給等(deng)功能(neng)，使設備在冷(leng)卻、隔熱(re)和抗電磁(ci)輻射等(deng)方面有著非常好的(de)效果(guo)；
■ 設備(bei)為(wei)晶體生長提供(gong)一個理想的工藝環境條件，保證SiC晶體的穩(wen)定生長；
■ 設備(bei)可以(yi)有效(xiao)的(de)避免(mian)加(jia)熱裝置對(dui)晶(jing)體(ti)的(de)污染，同時也相對(dui)增加(jia)了工作空間。
技(ji)術(shu)參數(shu)
| 加熱溫度 | 最高溫(wen)度(du)2500°C |
| 高周波電源 | 50kw，7-15KHz |
| 溫度測量 | 利用上下紅外(wai)放(fang)射(she)溫(wen)度計測(ce)溫(wen) |
| 控制(zhi)方式(shi) | 線圈電流控(kong)制(ACC)、放(fang)射溫度計控(kong)制(ATC) |
| 溫度控制精度 | 手動(dong)方式 |
| 氣氛(fen) | 士(shi)0.1%FS(ACC)、2500 °C士(shi)5 °C (ATC) |
| 極限(xian)圧力 | 真空、Ar 、N2 |
| 圧(ya)力(li)控制范圍 | 1.33x 10-3Pa (常溫空妒時) (133～101) x105 Pa士0.1%FS， 低圧側 1.0～100.0士(shi)0.1 Torr， 高圧側100～760士5 Torr |
