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依托半導體高端設備研制，通過半導體高端設備、真空技術兩個板塊，建立電子裝備的產業化經營格局
主要應用于半導(dao)(dao)體磷(lin)化(hua)銦、磷(lin)化(hua)鎵等(deng)材(cai)料的單晶生長。是制造(zao)II-VI族(zu)和III-V族(zu)化(hua)合(he)物(wu)半導(dao)(dao)體材(cai)料的關鍵設備
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高壓VGF單晶爐是制備(bei)II一VI族和III一V族化(hua)(hua)合(he)物半導體材(cai)料的(de)關鍵(jian)設備(bei)。主要應用(yong)于半導體磷化(hua)(hua)銦（nP）、磷化(hua)(hua)鎵（GaP）等(deng)材(cai)料的(de)單晶生長(chang)。
高壓VGF單(dan)晶爐設備特點
■ 高壓(ya)(ya)爐體采用無縫碳鋼鋼管制(zhi)造，品牌壓(ya)(ya)力容器(qi)資質(zhi)廠家設計生(sheng)產，可(ke)承受5倍工藝壓(ya)(ya)力，并(bing)有減壓(ya)(ya)閥，在超(chao)過6MPa時自(zi)動降(jiang)壓(ya)(ya)，降(jiang)壓(ya)(ya)口氣體做(zuo)隔(ge)氧處理。
■ 爐體底部有(you)水冷降(jiang)溫結構，可以增強(qiang)坩堝支(zhi)撐結構的導熱，利于晶體生長。
■ 爐(lu)體(ti)設備有(you)(you)吸震機構，可(ke)以(yi)有(you)(you)效把電(dian)阻絲通(tong)大電(dian)流時(shi)的(de)震動有(you)(you)效減(jian)除，有(you)(you)利(li)于層錯能(neng)弱(ruo)的(de)晶體(ti)生長。
■ 爐體支架裝(zhuang)有手(shou)動調節(jie)系統，方(fang)便(bian)裝(zhuang)取料時對爐體的調節(jie)。
■ 增壓(ya)系統采用進口(kou)增壓(ya)泵、壓(ya)力平(ping)衡(heng)控制系統、氮氣瓶組成。精(jing)度(du)高，反應靈敏，可編(bian)程工藝增壓(ya)與減壓(ya)。并設(she)有壓(ya)力極限報警。
■ 高(gao)精度溫度控制系(xi)統，提升(sheng)工藝成(cheng)品(pin)率。
技(ji)術(shu)參數
| 爐體結構 | 高壓立式單管狀腔體 |
| 適用單晶尺寸 | Ф3″（可定制） |
| 加熱溫區段數 | 6段（可定制） |
| 顯示及監控段數 | 6段 |
| 控制方式 | 微機控制 |
| 爐體最高工作溫度 | 1250℃ |
| 溫度穩定性 | 優于0.2℃ |
| 生長過程降溫超調 | 優于0.2℃ |
| 溫度顯示精度 | 0.1℃ |
| 溫度控制精度 | ±0.1℃ |
| 相鄰控溫熱偶可設定溫度差 | 0-3℃/cm |
| 壓力控制 | PID閉環控制 |
| 使用壓力 | 3MPa |
| 腔體最高耐壓 | 15MPa |
| 增壓泵壓力范圍 | 0-7MPa |
