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原子層沉積技術以精準控制薄層厚度，均勻性，保型性而著稱，廣泛應用于集成電路（IC）行業，它使得電子器件持續微型化成為可能，逐漸成為了微電子器件制造，半導體領域的必要技術。例如用于制備晶體管柵堆垛、刻蝕終止層。
緊湊型原子層沉積系統，系統為全自動的安全互鎖設計，并提供了強大的靈活性，可以用于沉積多種薄膜。（可沉積氧的化物： HfO2, Al2O3, TiO2, SiO2, ZnO, Ta2O等；氮化物：TiN,Si3N4等；）
應用領域包含半導體、光伏、MEMS等。帶有加熱腔壁及屏蔽層，非常方便腔體的清潔。該系統擁有一個載氣艙包含4個50ml的加熱源，用于前驅體以及反應物，同時帶有N2作為運載氣體的快脈沖加熱傳輸閥。
前可用ALD原子層沉積設備沉積的薄膜有：
1） 氧化物: Al2O3, TiO2, Ta2O5, ZrO2, HfO2, SnO2, ZnO, La2O3, V2O5, SiO2,...
2） 氮化物: AlN, TaNx, NbN, TiN, MoN, ZrN, HfN, GaN, ...
3） 氟化物: CaF2, SrF2, ZnF2, ...
4） 金屬: Pt, Ru, Ir, Pd, Cu, Fe, Co, Ni, ...
5） 碳化物: TiC, NbC, TaC, ...
6） 復合結構材料: AlTiNx, AlTiOx, AlHfOx, SiO2:Al, HfSiOx, ...
7） 硫化物 : ZnS, SrS, CaS, PbS, ...
可沉積的種類分為：
單 質：Co, Cu, Ta, Ti, W, Ge, Pt, Ru, Ni, Fe…
氮化物：TiN, SiN, AlN, TaN, ZrN, HfN, WN …
氧化物：TiO2, HfO2, SiO2, ZnO, ZrO2, Al2O3, La2O3, SnO2…
其它化合物：GaAs, AlP, InP, GaP, InAs, LaHfxOy, SrTiO3,SrTaO6…
ALD原子層沉積設備特點
· 不均勻性低于1%；
· 陽極氧化鋁腔體；
· 小反應腔體容積確保快速的循環時間并提高質量；
· 最大可支持4英寸的基片；
· 最多支持4路50cc/100cc前驅體源；
· 高深寬比結構的保形生長。
技術參數
設備尺寸：800X800X495mm
4英寸及以下兼容基片
3D 復雜表面襯底
多孔，通孔，高深寬比（HAR）樣品
樣品加熱50-260℃，精度±1℃
前驅體及管路：液態、固態、氣態，加熱溫度室溫~180℃
標準設備驗收標準為 Al2O3 工藝
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